1.-        FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES.

               - Distinción de materiales por su estructura de bandas. Concentraciones de portadores de carga en equilibrio. Concentraciones de portadores de carga en desequilibrio. Mecanismos de arrastre y difusión de electrones y huecos. Ecuación de continuidad.

 2.-       ESTRUCTURA Y MODELOS BÁSICOS DE DISPOSITIVOS EMPLEADOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS

               - Característica I-V de una unión p-n. Distribución de magnitudes eléctricas en una unión pn en inversa. Mecanismos de ruptura. Introducción de diversos tipos de diodos: Zéner, diodos emisores de luz y fotodiodos, diodos Shottky. Modelos de diodo en gran y pequeña señal.

               - Estructura Metal-aislante-semiconductor. Distribución de carga en el semiconductor. Capacidad de la estructura en función de la frecuencia y polarización.

               - Transistores de efecto campo MOS. Estructura y operación básica. Control de la tensión umbral.  Modelos de gran señal y de pequeña señal. Efectos de canal corto. Conducción subumbral. Respuesta en frecuencia.

               - El transistor bipolar de unión. Estructura y operación básica. Ganancias en corriente. Regiones de operación. Modelo de parámetros pi.

 3.-        FUNDAMENTOS DE LA TECNOLOGÍA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

                    - Procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados.

                    - Tecnología de fabricación de circuitos bipolares de alta tensión y avanzados.

                    - Introducción a la tecnología de fabricación de circuitos MOS y BICMOS.

                    - Coste de los circuitos integrados. Encapsulado. Conducta térmica.

 BIBLIOGRAFIA

(1) P.R.Gray, R.G. Meyer: Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 3' Ed., Ed.  John Wiley & sons, 1993

 (2) K.V. Shalimova, Física de los Semiconductores, Mir, 1975.

 (3) R.S.Muller, T.I.Kamins, Device Electronicsfor Integrated Circuits, John Wiley & Sons, 1986.