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Dispositivos Electrónicos II - (2012/2013)

Titulación: Ingeniería de Telecomunicación
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Tipo: Troncal
Curso: 2
Cuatrimestre: 1
Créditos Teóricos: 3.0
Créditos Prácticos: 3.0
Créditos ECTS: 4.8
Profesores: Algarra Ulierte Leticia
Versión Imprimible:
Descripción:
Objetivos:
Tipo Clases:

Presenciales

Método de evalución:

Examen

Recomendaciones:

Dispositivos Electrónicos I

Programa Teoría:
  • Tema 1: Repaso de DEI
    • 1.1: Fundamentos de semiconductores
    • 1.2: Unión PN
    • 1.3: Unión MIS
  • Tema 2: Transistores de efecto con canal largo
    • 2.1: MOSFET: Curvas características ID-VDS; ID-VGS
    • 2.2: JFET: Curvas características ID-VDS; ID-VGS
    • 2.3: MESFET: Curvas características ID-VDS; ID-VGS
  • Tema 3: Transistores MOS de canal corto
    • 3.1: Modelos SPICE Level 1, 2 y 3
    • 3.2: Reducción de la movilidad con VGS y VDS
    • 3.3: Modulación de la longitud del canal
    • 3.4: DIBL, SCEs
    • 3.5: Corriente subumbral
  • Tema 4: Dispositivos para altas frecuencias. Heteroestructuras
    • 4.1: Electroestática en heterouniones
    • 4.2: HEMT
    • 4.3: Diodo túnel
  • Tema 5: Optoelectrónica: Fotodiodos, células solares, LEDs y láser
    • 5.1: Ecuación de continuidad
    • 5.2: Absorción de fotones
    • 5.3: Fotodetectores-Fotodiodos
    • 5.4: Células solares
    • 5.5: LEDs
    • 5.6: Láser
  • Tema 6: Tecnología de fabricación de dispositivos electrónicos
  • Tema 7: Tecnología de fabricación de circuitos integrados
Programa Prácticas:
  • Práctica 1: Cálculo de parámetros en un transistor MOSFET con Pspice
    • 1.1: Tensión umbral, KP, L y W
    • 1.2: Gamma y Phi
    • 1.3: Theta
  • Práctica 2: Simulación de dispositivos utilizando el programa PISCES
    • 2.1: Simulación de un diodo
    • 2.2: Simulación de un transistor MOS
  • Práctica 3: Estudio de la respuesta de un inversor CMOS
    • 3.1: Efectos del escalado de los dispositivos
    • 3.2: Variación de VT con VDS
    • 3.3: Comparación de dispositivos SOI vs Bulk MOSFETs
  • Práctica 4: Montaje de una etapa acoplada LED - fotoreceptor
    • 4.1: Medidas de las tensiones umbral para LEDs de diferente color
    • 4.2: Respuesta del circuito a distintos niveles de intensidad luminosa
Bibliografía:
  • 1. Título: Solid State Electronic Devices
    • Autor/es: Ben G. Streetman and Sanjay Kumar Banerjee
      • Más info: Prentice-Hall, 2005
  • 2. Título: Semiconductor Optoelectronic Devices
    • Autor/es: Bhattacharya P.
      • Más info: Prentice-Hall, 1994
  • 3. Título: Fundamentals of Modern VLSI Devices
    • Autor/es: Yuan Taur and Tak H. Ning
      • Más info: Cambridge University Press, 2000