PROGRAMA DE TEORÍA:

• Revisión de conceptos de física de semiconductores: ecuaciones básicas, estadística de portadores, mecanismos de generación y recombinación.
•  Introducción a los procesos de fabricación de Dispositivos Electrónicos: crecimiento de cristales, impurificación, oxidación, grabado, eposición de películas aislantes y metálicas.
• Homouniones
  La unión p-n: revisión de conceptos, efectos de segundo orden en uniones p-n
• Heterouniones
  Semiconductores compuestos y aleaciones. Heterounión semiconductor-semiconductor. Unión Metal-Semiconductor. Unión Aislante-Semiconductor.
• Diodos y Dispositivos Relacionados
  Diodos de unión: características, terminaciones, fabricación. Diodos Schottky, diodos Zener, diodos túnel, fotodiodos
• Transistores Bipolares de Unión
  Revisión de conceptos, operación y modelos básicos, efectos de segundo orden en el BJT.
  Otros transistores bipolares.
• El MOSFET
  Estructura MOS. Revisión de conceptos: estructura, operación y modelos simples. Conducción subumbral. Efectos de canal corto. DIBL. Otros efectos. El MOSFET en ULSI. Procesos específicos. Dificultades tecnológicas. Modelización avanzada del MOSFET. Subbandas de energía. Transporte.
• Otros dispositivos en tecnología MOS.
  Tecnología SOI. Dispositivos especiales de Memoria. Sensores FET. Aplicaciones. CCDs.
  Aplicaciones en sensores de imágenes. El MOSFET de Potencia
• Otros Transistores FET.
  El MESFET y el JFET. El HFET. Aplicaciones en monitores de vídeo delgados.

PROGRAMA DE PRÁCTICAS:

• Ejercicios prácticos y problemas correspondientes a los distintos temas del programa de teoría
• Simulación por ordenador del comportamiento de diversos dispositivos electrónicos.
   

BIBLIOGRAFÍA:

• B. G. Streetman, S. Banerjee, "Solid State Electronic Devices", 5a Ed., Prentice-Hall (New Jersey), 2000.
• K. Hess, "Advanced Theory of Semiconductor Devices", IEEE Press, 2000.
• Y.Tsividis, "Operation and Modeling of the MOS Transistor", 2a Ed., McGraw-HilL(Singapur), 1999.