Objetivos:
• Diseño, montaje y verificación experimental y por simulación de circuitos activos de microondas.
   o  Amplificador de ganancia máxima a frecuencias en torno a 900 MHz.
   o Oscilador de frecuencia fija en torno a 900 MHz.

Metodología:
• Clases teóricas con transparencias mudas. Se aconseja la toma de notas de clase.
• Clases prácticas a cargo de los estudiantes que desarrollaran:
   o Ocho problemas a lo largo del curso. Cuatro de ellos los presentaran en clase al resto de los compañeros. Los otros cuatro los presentarán individualmente en el despacho del profesor. La entrega de problemas quedará fijada mediante un calendario.
   o Diseños de dos circuitos que se adecuan a los objetivos de la asignatura. Se presentarán de forma individual en el despacho del profesor.
   o Dos sesiones de laboratorio. En la primera se enseñará un programa de simulación de circuitos de microondas. En la segunda se darán nociones sobre los Instrumentos de medida: generador de señal y  analizador de espectro, y se verificarán experimentalmente los montajes diseñados.

Evaluación:
• Trabajos de clase más los dos diseños prácticos.
• Examen opcional.

Criterios de evaluación:
• Puntualidad en la entrega de los trabajos.
• Capacidad para la presentación de los trabajos atendiendo a:
   o Planteamiento de los problemas: enunciado y herramientas a utilizar.
   o Exposición y desarrollo de los problemas.
   o Resultados.
   o Capacidad de síntesis.
• Capacidad para enfrentarse a problemas nuevos y búsqueda de soluciones.

Programa:
I. INTRODUCCIÓN

II. DISPOSITIVOS ESPECÍFICOS DE MICROONDAS. HERRAMIENTAS DE CARACTERIZACIÓN

ELEMENTOS PASIVOS DE CIRCUITOS MONOLÍTICOS
 Configuraciones y modelos.

CARACTERIZACIÓN DE TRANSISTORES DE MICROONDAS: MESFET DE GaAs. TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNIÓN (HBT). TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE MODULACIÓN DEL DOPADO (MODFET).
 Tecnología de fabricación. Principio de operación y modelos. Ruido. Caracterización de transistores: baja y alta frecuencia. Configuraciones de polarización.
  
III. DISEÑO DE CIRCUITOS DE MICROONDAS
INTRODUCCIÓN A LA CARACTERIZACIÓN DE REDES
 Parámetros S, diagramas de flujo, regla de Mason. Aplicación a los transistores de microondas. Estabilidad.
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE ALTA FRECUENCIA
 Ganancia y figura de ruido.
 Ejemplos de diseño
 Herramientas de ayuda al diseño
CIRCUITOS ANALÓGICOS NO LINEALES
 Generación de microondas con elementos activos de dos terminales (Diodo túnel. Diodo IMPATT. Diodo Gunn)
 Diseño de osciladores con transistores
CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN Y CONTROL

Bibliografía
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FCI/621 POZ mic
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- Sze S.M.,Semiconductor Devices. Physics and Technology. John Wiley & sons, 1985. FCI/621 SZE sem  (Ed. 1981- FCI/621 SZE phy)
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