Programa de Teoría

1.- Breve historia de la tecnología electrónica y de los dispositivos electrónicos.

2.- Componentes pasivos.

3.- Conceptos básicos de física de semiconductores.

4.- Homouniones.

         4.1.- La unión PN.

         4.2.- Corrientes de generación-recombinación.

4.3.- Rotura de la unión.

4.4.- Tipos de diodos y aplicaciones.

5.- Heterouniones.

         5.1.- Heterounión semiconductor-semiconductor.

         5.2.- Heterounión Metal-Semiconductor.

                   5.2.1.- Efectos no ideales en la altura de la barrera.

5.2.2.- Medidas reales de las alturas de barrera.

                   5.2.3.- Barrera túnel.        

         5.3.- Unión Aislante-Semiconductor. La estructura MIS.

6.- EL MOSFET

         6.1.- Estructura, operación y modelos simples.

         6.2.- Condición subumbral. Efectos de canal corto. DIBL. Otros efectos.

7.- BJT

         7.1.- Conceptos básicos: ecuaciones de Ebers-Moll, modelos de gran y pequeña señal, efecto Early.

         7.2.- Efectos de segundo orden en BJTs.

8.- Dispositivos optoelectrónicos.

Programa de Prácticas

1.   MANEJO DE INSTRUMENTOS

2.   ANÁLISIS EN FRECUENCIA DE UN CIRCUITO

3. ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO DEL DIODO. APLICACIONES.

4. DETERMINACIÓN DE LA VIDA MEDIA DE PORTADORES MINORITARIOS. DETERMINACION DEL PERFIL DE IMPUREZAS EN UN SEMICONDUCTOR.

5. DETERMINACIÓN DE LOS PARÁMETROS DE LA UNIÓN P-N.  

6. EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS EN UN MOSFET