Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores

Histórico de Programas

Componentes Electrónicos - (2014/2015)

Titulacion: Ingeniería Electrónica
Web: Ir a la web...
Tipo: Obligatoria
Curso: 2
Cuatrimestre: 1
Créditos Teóricos: 6.0
Créditos Prácticos: 6.0
Profesores: Martínez Carricondo Francisco
Versión Imprimible: PDF
 
 

Objetivos:

El alumno sabrá/ comprenderá:

  • El comportamiento cualitativo de un diodo y su relación corriente tensión.
  • El concepto de transistor.
  • El funcionamiento físico básico de un transistor MOSFET.
  • Los modelos circuitales del transistor MOSFET.
  • Las distintas alternativas para polarizar correctamente un transistor MOSFET.
  • El modelo en pequeña señal del un transistor MOSFET.
  • Cómo utilizar un transistor MOSFET como amplificador, estudiando las características de las distintas etapas amplificadoras.
  • El funcionamiento físico básico de un transistor bipolar de unión (BJT).
  • Los modelos circuitales del transistor BJT.
  • Las distintas alternativas para polarizar correctamente un transistor BJT.
  • El modelo en pequeña señal del un transistor BJT.
  • Cómo utilizar un transistor BJT como amplificador, estudiando las características de las distintas etapas amplificadoras.
El alumno será capaz de:
  • Utilizar herramientas de simulación numérica de circuitos electrónicos (SPICE).
  • Simular circuitos con SPICE.
  • Manejar instrumentos básicos de laboratorio: osciloscopio, multímetro, fuente de alimentación y generador de funciones
  • Analizar circuitos utilizando modelos analíticos básicos.
  • Montar en el laboratorio circuitos sencillos, verificar los resultados con SPICE y compararlos con estudios analíticos.
  • Analizar circuitos básicos con diodos.
  • Extraer parámetros de modelos de dispositivos electrónicos a partir de curvas corriente-tensión.
  • Polarizar el transistor MOSFET y montar un amplificador monoetapa con este dispositivo.
  • Polarizar un transistor bipolar y montar un amplificador monoetapa
Tipo Clases:

 

El profesor expondrá en clase los contenidos teóricos necesarios para afrontar con éxito las siguientes actividades que deberán realizar los estudiantes.
  • Resolución de problemas al final de cada tema.
En cada tema, los estudiantes deberán resolver varios problemas de forma individual. Al final del tema, se examinarán de un problema similar a los realizados.
  • Casos prácticos.
Los estudiantes realizarán varias prácticas de laboratorio paralelas a la teoría. Se realizarán en grupo para fomentar el trabajo en equipo pero se evaluarán a cada componente de forma individual. Las prácticas se inician siempre con algunos ejercicios que tienen que resolver teóricamente y que deberán estar terminados antes del inicio del montaje práctico. Una vez finalizado y comprobado el montaje deberán mostrar los resultados al profesor. En la última sesión de prácticas se evaluarán los conocimientos adquiridos.
Método de evaluación:

 

  • Evaluación de problemas.
  • Evaluación de prácticas.
  • Examen final.
  • Se evaluarán las actividades propuestas por el profesor en forma de seminarios o problemas (15%), las prácticas realizadas en el laboratorio (25%) y el examen de la asignatura (60%).
  • Los problemas se realizan de forma individual. Al final del tema habrá una evaluación escrita.
  • La evaluación de las prácticas se realiza en el mismo laboratorio, antes y después de cada sesión de laboratorio, es oral en presencia del profesor. Las prácticas se hacen en equipo y la evaluación es individual. Además, habrá examen de prácticas en la última sesión de prácticas.
  • El examen de la asignatura es escrito.
Programa Teoría:

 

TEMARIO TEÓRICO:
  • Tema 1. Fundamentos de los componentes electrónicos. Terminología y conceptos básicos. Clasificación. Aspectos tecnológicos medioambientales de los componentes electrónicos.
  • Tema 2. Componentes pasivos. Descripción y modelos simples. Características comunes. Parámetros y su variación. Límites de funcionamiento.
  • Tema 3. Herramientas de simulación de circuitos. SPICE.
  • Tema 4. Semiconductores. Conceptos básicos. Relación I-V en un bloque semiconductor. Unión pn semiconductora. Descripción cualitativa. Regiones de funcionamiento. Efectos capacitivos.
  • Tema 5. Diodos. El diodo ideal. Curva I-V. Modelo en directa. Modelo en inversa. Circuitos rectificadores y limitadores. Diodos especiales.
  • Tema 6. MOSFET. Estructura y operación. Curvas I-V. Modelo dc. Modelo de pequeña señal. Configuraciones amplificadoras básicas. Configuraciones de polarización. Circuitos amplificadores discretos. Efecto Body.
  • Tema 7. Transistor bipolar de unión. Estructura y operación. Curvas I-V. Modelo dc. Modelo de pequeña señal. Configuraciones amplificadoras básicas. Configuraciones de polarización. Circuitos amplificadores discretos. Efectos de temperatura y ruptura.
Programa Prácticas:

 

Prácticas de Laboratorio
 
Práctica 1. Introducción al laboratorio. Componentes pasivos.
Práctica 2. Semiconductores. Unión pn.
Práctica 3. Aplicaciones con diodos.
Práctica 4. Amplificador con MOSFET.
Práctica 5. Amplificador con transistor bipolar.
Bibliografía:

 

BIBLIOGRAFÍA FUNDAMENTAL:
  • Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith, “Microelectronic Circuits”, International edition. Sixth Edition, Oxford University Press, USA. ISBN: 978-0-19-973851-9
 
BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA:
  • Juan A. López Villanueva, Juan A. Jiménez Tejada, ”Fundamentos de circuitos para electrónica”, Universidad de Granada. http://hdl.handle.net/10481/14700
  • J.A. Jiménez Tejada, J.A. López Villanueva, “Problemas de electrónica básica”. http://hdl.handle.net/10481/17733
Descripción:

 

 

 

 

 

 INFORMACIÓN COMPLETA Y ACTUALIZADA EN ACCESO IDENTIFICADO

https://oficinavirtual.ugr.es/csirc/nuevoacceso/pagina1.htm